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    氮化硅薄膜窗口
    產(chǎn)品型號:SN-LDE-510-15
    產(chǎn)品代碼:SN-LDE
    產(chǎn)品價格:
    最后更新:2011-07-12
    關(guān) 注 度:4800
    生產(chǎn)企業(yè):上海納騰儀器有限公司
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    產(chǎn)品詳細(xì)介紹

    聯(lián)系我們:021-64283335/admin@shnti.com

    SHNTI的X-射線薄膜窗能夠?qū)崿F(xiàn)軟X-射線(如真空紫外線)的最大透射率。主要用于同步輻射X射線透射顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特別在“離軸”狀態(tài)工作(即薄膜與光束成一定角度)時,也需要較薄的薄膜窗口,便于X射線更好地穿透。
    SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用現(xiàn)代MEMS技術(shù)制備而成,由于此種氮化硅窗口選用低應(yīng)力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常適合應(yīng)用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學(xué)研究領(lǐng)域,例如,X-射線(上海光源透射成像/能譜線站)、TEM、SEM、IR、UV等。
    現(xiàn)在SHNTI可以提供X-射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規(guī)格如下:
    外框尺寸 (4種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格):

    5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm 或和 1.5 mm 方形)

    7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm 或 2.5 mm)

    10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm 或 5 mm 方形)

    邊框厚度: 200μm、381μm、525μm。
    Si3N4薄膜厚度:50、100、150和200nm
    SHNTI也可以為用戶定制產(chǎn)品(30-500nm),但要100片起訂。

    本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品,SHNTI不建議用戶重復(fù)使用,本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。

    與X射線用氮化硅窗口類似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應(yīng)力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規(guī)格。同時SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。



    現(xiàn)在SHNTI可以提供透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規(guī)格如下:
    外框尺寸:

    3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:100 nm) 邊框厚度: 200μm、381μm。
    Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm
    SHNTI也可以為用戶定制產(chǎn)品(30-200nm),但要100片起訂。
    本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品,SHNTI不建議用戶重復(fù)使用,本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。

     

    技術(shù)指標(biāo):
    表面平整度:
    我們認(rèn)為薄膜與其下的硅片同樣平整, TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為:0.6-2nm。完全適用于TEM表征。

    親水性
    該窗格呈疏水性,如果樣品取自水懸浮液,懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機對薄膜進(jìn)行親水處理,可暫時獲得親水效果。雖然沒有對其使用壽命進(jìn)行過測試,但預(yù)期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網(wǎng)格相當(dāng)?shù)膲勖N覀兛梢陨a(chǎn)此種蝕刻窗格,但無法保證其使用壽命。如果實驗室有蝕刻工具也可對其進(jìn)行相應(yīng)的處理提高其親水性能。



    溫度特性:
    氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品,能夠承受1000度高溫,非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。

    化學(xué)特性:
    氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。

    應(yīng)用簡介和優(yōu)點:
    1、 適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對同一區(qū)域的交叉配對表征。
    2、 大窗口尺寸,適合TEM大角度轉(zhuǎn)動觀察。
    3、 無碳、無雜質(zhì)的清潔TEM觀測平臺。
    4、 背景氮化硅無定形、無特征。
    5、 耐高溫、惰性襯底,適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境,(薄膜直接沉積在窗口上)。
    6、 生物和濕細(xì)胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后,窗口具有很好的親水性。。
    7、 耐高溫、惰性襯底,也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。
    8、 適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。

    氮化硅薄膜應(yīng)用范圍非常廣,甚至有時使不可能變?yōu)榭赡埽袘?yīng)用都有無氮要求(因樣本中有氮存在):
    惰性基片可用于高溫環(huán)境下,通過TEM、SEM或AFM(某些情況下)對反應(yīng)進(jìn)行動態(tài)觀察。
    作為耐用基片,首先在TEM下,然后在SEM下對同一區(qū)域進(jìn)行“匹配”。
    作為耐用匹配基片,對AFM和TEM圖像進(jìn)行比較。
    聚焦離子束(FIB)樣本的裝載,我們推薦使用多孔薄膜,而非不間斷薄膜。


    許多研究納米微粒,特別是含氮納米微粒的人員發(fā)現(xiàn)此種薄膜窗格在他們實驗中不可缺少。氣凝膠和干凝膠的基本組成微粒尺寸極小,此項研究人員也同樣會發(fā)現(xiàn)氧化硅薄膜窗格的價值。
    優(yōu)點:
    • SEM應(yīng)用中,薄膜背景不呈現(xiàn)任何結(jié)構(gòu)和特點。
    • x-射線顯微鏡中,裝載多個分析樣的唯一方法。
    • 無氮
    高溫應(yīng)用,氮化硅薄膜在1000°C高溫下仍能保持穩(wěn)定的性能。

    使用前清潔:
    氮化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時薄膜表面邊角處會散落個別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個硅片中分離,并對外框進(jìn)行打磨,因此這些微小碎片不可避免。盡管如此,我們相信這些碎片微粒不會對您的實驗產(chǎn)生任何影響。

    如果用戶確實需要對這些碎片進(jìn)行清理,我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機物,用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清潔金屬。

    通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜,因超聲波可能使其粉碎性破裂。


    詳細(xì)情況,您可以與我們?nèi)〉寐?lián)系。我們?yōu)槟灰唤獯稹?/p>

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