產(chǎn)品詳細(xì)介紹ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng)
技術(shù)特點(diǎn)：
適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料，提高測量精度
溫度檢測采用C型熱電偶，最適合測量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型
真正可測基板上的納米級薄膜（TF型）
最大可測10MΩ高電阻材料
標(biāo)準(zhǔn)搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT ZEM-5HR ZEM-5LT ZEM-5TF
特 點(diǎn) 高溫型 高電阻型
最大電阻：10MΩ 低中溫型 薄膜型
可測在基板上形成的熱電薄膜
溫度范圍 RT-1200℃ RT-800℃ -150℃-200℃ RT-500℃
樣品尺寸 直徑或正方形：2 to 4 mm2 ；
長度3 ～ 15mm 成膜基板：寬2-4mm，厚0.4-12mm，長20mm
薄膜厚度：≥nm量級
薄膜樣品與基板要求絕緣
控溫精度 ±0.5K
測量精度 塞貝克系數(shù)：＜±７％； 電阻系數(shù)：＜±７％
測量原理 塞貝克系數(shù)：靜態(tài)直流電； 電阻系數(shù)：四端法
測量范圍 塞貝克系數(shù)：0.5μV/K_25V/K； 電阻系數(shù)：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
分辨率 塞貝克系數(shù)：10nV/K； 電阻系數(shù)：10nOhm
氣 氛 減壓Ｈｅ
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| 加入時間：2016-06-03
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